有些人对霍尔传感器的原理(轮速霍尔传感器原理)感到不解。接下来让小常来说说霍尔传感器的原理。
1.将半导体晶片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于晶片。当电流I流过薄片时，将在垂直于电流和磁场的方向上产生电动势eh。这种现象叫做霍尔效应，这个电动势叫做霍尔电势。上述半导体片被称为霍尔元件。
2.原理简述如下:励磁电流I从A端和B端流入，磁场B从上方作用于薄片。此时电子E的运动方向与电流方向相反，会受到洛仑兹力FL的作用，向内部移动，形成电子在这一侧的积累，从而产生薄片C、D方向的电场E。积累的电子越多，FE越大，并且在C和D方向上在半导体晶片的端面之间建立的电动势EH是霍尔电势。
3.根据实验，流入激励电流端的电流I越大，作用在薄膜上的磁场强度B越强，霍尔电位就会越高。当磁场方向相反时，霍尔电势的方向发生变化，因此霍尔传感器可用于测量静态磁场或交变磁场。
仅此而已。希望小常的内容能帮助你了解更多。
